• <tbody id="a7rhy"><pre id="a7rhy"></pre></tbody>
  • 
    
    1. <button id="a7rhy"><object id="a7rhy"><menuitem id="a7rhy"></menuitem></object></button>

      新聞中心

      EEPW首頁 > 元件/連接器 > 新品快遞 > 東芝推出適用于半導體測試設備中高頻信號開關的小型光繼電器

      東芝推出適用于半導體測試設備中高頻信號開關的小型光繼電器

      —— 降低插入損耗,改善高頻信號傳輸特性
      作者:時間:2023-10-17來源:電子產品世界收藏

      電子元件及存儲裝置株式會社(“”)近日宣布,推出采用小巧纖薄的WSON4封裝的“TLP3475W”。它可以降低高頻信號中的插入損耗,并抑制功率衰減[1],適用于使用大量繼電器且需要實現高速信號傳輸的的引腳電子器件。該產品于近日開始支持批量出貨。

      本文引用地址:http://www.sonshinechristianacademy.com/article/202310/451648.htm

      TLP3475W采用了經過優化的封裝設計,這有助于降低新型的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時還可將高頻信號的傳輸特性提高到20GHz(典型值)[2]——與東芝現有產品TLP3475S相比,插入損耗降低了約1/3[2]。

      TLP3475W采用厚度僅為0.8mm(典型值)的小巧纖薄的WSON4封裝,是目前業界最小的[3],其成功的改善了高頻信號傳輸特性。它的厚度比東芝的超小型S-VSON4T封裝還薄40%,且支持在同一電路板上貼裝更多產品,將有助于提高測量效率。

      東芝將繼續擴大其產品線,為更高速和更強大功能的提供支持。

      image.png image.png

      S21插入損耗特性

      ■   應用:

      -   (高速存儲器測試設備、高速邏輯測試設備等)

      -   探測卡

      -   測量設備

      ■   特性:

      -   業界最小的[3]WSON4封裝:1.45mm×2.0mm(典型值),厚度=0.8mm(典型值)

      -   改善高頻信號的傳輸:當插入損耗(S21)=–3dB時,f=20GHz(典型值)

      -   常開功能(1-Form-A)

      ■   主要規格:

      (除非另有說明,Ta=25℃)

      image.png

      注:

      [1] 當頻段范圍在幾百兆赫茲至上萬兆赫茲時。

      [2] 信號通過輸出MOSFET時功率衰減比(插入損耗)為–3dB的頻段。

      [3] 適用于光繼電器。截至2023年10月的東芝調查。



      評論


      相關推薦

      技術專區

      關閉